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聚焦PCIM Asia 2016

2016/09/02

        2016年 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会于6月28至30日在上海世博展览馆举行。多家行业龙头企业齐齐亮相 PCIM Asia,部份参与其中的领先品牌包括:ABB、安施、中国中车、丹佛斯、富士电机、杭州士兰微、英飞凌、莱姆电子、三菱电机、赛米控、上海鹰峰、宁波希磁、赛晶、TDK、东芝电子及Vincotech 等,以展示新的分立半导体及功率器件相关产品、功率器件、母线及电容器等。


Toshiba 东芝


东芝推出的IEGT可以有效地实现大功率变频器的节能,而且其优势随着大功率项目功率等级和电压等级的不断提高而逐步提升。因此IEGT可以应用在高电压直流(HVDC)传输的整流器、静止无功补偿器(SVC)、中压逆变器、轨道牵引、地铁和轻轨系统、风力发电厂等方面。


  1. PPI压接式封装IEGT

为了更好地满足不同应用领域的具体需求,东芝半导体专门推出了不同封装的IEGT产品,尤其是PPI压接式封装IEGT,采用内部无引线键合技术,双面水冷散热,可以大幅提高整个系统功率密度和可靠性,且能缩小设备的体积,减少占地面积,完全可以满足大功率、小型化、高效、节能环保的市场新需求,当之无愧的新能源领域佼佼者。


2.PMI封装IEGT

除了PPI封装IEGT,东芝的展台还有适用于高速EMU的3.3kV PMI封装(塑封模块)的IEGT和适用于重型EL的4.5kV PMI封装的IEGT以及适用于电力机车驱动要求尺寸小、重量轻及节能降耗的3.3kV/1.5kA SiC混合模块封装IEGT。


在本次展会上,东芝半导体带来的SiC(碳化硅)系列产品,包括用于1000伏以上工业、能源等大功率应用的1200V常开型SiC MOSFET。全新的全SiC器件实现了低导通电阻和低开关损耗特性,可以使整个设备系统更高效节能、更轻小型化。除此之外,东芝半导体带来了650V和1200V的SiC SBD二极管系列。


东芝这次还展出了应用于IGBT/MOSFET栅极驱动的光耦,可以保证高达40kV/?s的共模抑制(CMR)。



三菱电机


三菱电机今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域,包括:变频家电、轨道牵引及电力传输、电动 汽车、工业和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。

G1系列IPM,针对高端变频器、伺服 电机驱动器的应用而设计。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片,实现更低损耗;使用更适合伺服驱动器的窄长形封装;控制端子与现行L1 系列兼容,适用同样的接口电路;针对不同的保护动作,输出不同的故障识别信号;额定电流覆盖25A~200A/1200V。

中科君芯

      此次展会中科君芯向业界展示了完全自主研发的IGBT芯片及单管、模块产品,涵盖600V-6500V不同电流等级IGBT产品。重点展示了高性能超大电流密度IGBT(DCS-IGBT)芯片产品,主要应用于新能源汽车,新能源发电以及智能电网等战略新兴产业。


英飞凌


   此次在展台上人气的无疑是英飞凌推出的革命性的碳化硅MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC? MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。全新的1200 V SiC MOSFET,其兼具可靠性与性能优势,在动态损耗方面树立了新标杆,相比1200 V硅(Si)IGBT低了一个数量级。初期的应用重点在于光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统性能提升,此后会将其范围扩大到工业变频器。


   此次展会,英飞凌还展出了革命性封装 XHP?(灵活高功率半导体平台),通过并联实现不同功率等级的应用。其为不同行业、不同应用提供了高功率密度、高效率、耐用稳定且灵活的标准模块,并使未来的芯片技术得以在大功率应用中实现现场采用 英飞凌全新 XHP?封装的FF450R33TE3 模块(450A 3300V)八个并联即可实现3.3kV / 3600A规格,可用于构成±500kV / 3GW柔性直流输电 VSC-HVDC系统人气爆棚!